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半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體制造技術(shù)問(wèn)答題每日一練(2019.01.23)
來(lái)源:考試資料網(wǎng)
1.問(wèn)答題
分別畫(huà)出單大馬士革和雙大馬士革工藝流程圖。
參考答案:
2.問(wèn)答題
簡(jiǎn)述RTP設(shè)備的工作原理,相對(duì)于傳統(tǒng)高溫爐管它有什么優(yōu)勢(shì)?
參考答案:
RTP工藝是一類(lèi)單片熱處理工藝,其目的是通過(guò)縮短熱處理時(shí)間和溫度或只縮短熱處理時(shí)間來(lái)獲得最小的工藝熱預(yù)算(Thermal...
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3.問(wèn)答題
Si-SiO
2
界面電荷有哪幾種?簡(jiǎn)述其來(lái)源及處理辦法。
參考答案:
可動(dòng)離子電荷Q
m
來(lái)源:主要來(lái)源于Na+等網(wǎng)絡(luò)改變者。解決辦法:為了降低Na+的玷污,可以在工藝過(guò)程...
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4.問(wèn)答題
集成電路制造中有哪幾種常見(jiàn)的擴(kuò)散工藝?各有什么優(yōu)缺點(diǎn)?
參考答案:
擴(kuò)散工藝分類(lèi):按原始雜質(zhì)源在室溫下的相態(tài)分類(lèi),可分為固態(tài)源擴(kuò)散,液態(tài)源擴(kuò)散和氣態(tài)源擴(kuò)散。固態(tài)源擴(kuò)散(1).開(kāi)管擴(kuò)散...
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5.問(wèn)答題
簡(jiǎn)述雜質(zhì)在SiO
2
的存在形式及如何調(diào)節(jié)SiO
2
的物理性質(zhì)。
參考答案:
熱氧化層中可能存在各種雜質(zhì),某些最常見(jiàn)的雜質(zhì)是與水有關(guān)的化合物,其結(jié)構(gòu)如圖所示。如果氧化層在生長(zhǎng)中有水存在,一種可能發(fā)生...
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