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每日一練
章節(jié)練習
半導體材料問答題每日一練(2020.02.24)
來源：考試資料網(wǎng)
1.問答題
用冷熱探筆法測量P型半導體時，為什么冷端帶正電，熱端帶負電？
參考答案：
樣品為P型材料，載流子的熱運動速度與溫度有關，熱區(qū)的空穴熱運動速度大，冷區(qū)的空穴熱運動速度小。因此，熱端向冷端運動的空穴...
點擊查看完整答案
2.問答題
例舉出兩種最廣泛使用的集成電路封裝材料。
參考答案：
兩種最廣泛使用的集成電路封裝材料是塑料封裝和陶瓷封裝。
3.問答題
簡述在生長III-V族化合物時指出MBE、MOVPE和CBE法使用的III族源及各自的生長機理。
參考答案：
4.問答題
半導體中載流子濃度n
0
=10
14
cm
-3
，本征載流子濃度n
i
=10
10
cm
-3
，非平衡空穴濃度，非平衡空穴的壽命τn
0
=10
-6
s，計算電子-空穴的復合率，計算載流子的費米能級和準費米能級、能級和準費米能級。
參考答案：
5.問答題
材料的常用表征參數(shù)有哪些？
參考答案：
電學參數(shù)、化學純度、晶體學參數(shù)、幾何尺寸。
電學參數(shù)包括電阻率、導電類型、載流子濃度、遷移率、少數(shù)載流子壽命...
點擊查看完整答案
