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【簡答題】采用MOSFET作為nMOS反相器的負(fù)載器件有哪些優(yōu)點(diǎn)?
答案:
采用負(fù)載電阻會占用大量的芯片面積,而晶體管占用的硅片面積通常比負(fù)載電阻小,并且有源負(fù)載反相器電路比無源負(fù)載反相器有更好的...
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【簡答題】
設(shè)計(jì)一個V
OL
=0.6V的電阻負(fù)載反相器,增強(qiáng)型驅(qū)動晶體管V
T0
=1V, V
DD
=5V
1)求V
IL
和V
IH
2)求噪聲容限V
NML
和V
NMH
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【簡答題】考慮一個電阻負(fù)載反相器電路:V
DD
=5V,K
N
`=20uA/V2 ,V
T0
=0.8V,R
L
=200KΩ,W/L=2。計(jì)算V
TC
曲線上的臨界電壓值(V
OL
、V
OH
、V
IL
、V
IH
)及電路的噪聲容限,并評價該直流反相器的設(shè)計(jì)質(zhì)量。
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