問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】
論證或舉例說(shuō)明下列斷言的對(duì)或錯(cuò)。

答案：

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問(wèn)答題

【計(jì)算題】硅P－N結(jié)的N區(qū)施主濃度為1×10¹⁵cm^-3，τ_h=1μs；P區(qū)受主濃度為6×10¹⁷cm^-3，τ_e=5μs；D_h=1.3×10^-3m²/s，D_e=3.5×10^-3m²/s，試計(jì)算室溫下空穴電流與電子電流之比j_h/j_e，飽和電流密度j₀以及在正向偏壓0.3V時(shí)，流過(guò)P－N結(jié)的電流密度j。

答案：

問(wèn)答題

【計(jì)算題】已知施主濃度為1×10¹⁸cm^－3，受主濃度為5×10¹⁶cm^－3，試分別求出鍺、硅材料在室溫下的接觸電勢(shì)差。

答案：

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