問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】組成氧化硅的基本單元是什么？他有哪兩種主要結(jié)構(gòu)？

答案： 基本單元：一個(gè)硅原子被四個(gè)氧原子包圍著的Si—O四面體。
在SiO2的四面體...
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【簡(jiǎn)答題】什么是氧化工藝？請(qǐng)說(shuō)明氧化工藝為什么需要高溫技術(shù)？
答案： 氧化，即在硅表面形成一氧化層的能力，是硅集成電路制造技術(shù)的基礎(chǔ)及關(guān)鍵因素之一。
室溫下也會(huì)生長(zhǎng)出自然氧化層，但...
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【簡(jiǎn)答題】試說(shuō)明CMOS工藝在硅片上形成氧化物的主要方法，以及他們間的本質(zhì)區(qū)別。
答案： 硅片上的氧化物有許多種方法產(chǎn)生：熱生長(zhǎng)和淀積，包括：熱氧化法、CVD、熱分解淀積法、陽(yáng)極氧化法、反應(yīng)濺射法等。
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