問答題

【計算題】一塊半導體材料的壽命 τ =10us ，光照在材料中會產生非平衡載流子，試求光照突然停止 20us 后，其中非平衡載流子將衰減到原來的百分之幾？

答案：

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【計算題】有一塊n型硅樣品，壽命是1us，無光照時電阻率是10Ω∙cm。今用光照射該樣品，光被半導體均勻的吸收，電子-空穴對的產生率是10²²cm^-3∙s^-1，試計算光照下樣品的電阻率，并求電導中少數在流子的貢獻占多大比例？

答案：

【案例分析題】用強光照射n型樣品，假定光被均勻地吸收，產生過剩載流子，產生率為，空穴壽命為τ。求出光照下達到穩(wěn)定狀態(tài)時的過載流子濃度。

答案：

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