A.掃場下的高場和掃頻下的高頻,較小的化學(xué)位移值(δ) B.掃場下的高場和掃頻下的低頻,較小的化學(xué)位移值(δ) C.掃場下的低場和掃頻下的高頻,較大的化學(xué)位移值(δ) D.掃場下的低場和掃頻下的低頻,較大的化學(xué)位移值(δ)
A.屏蔽效應(yīng)增強,化學(xué)位移值大,峰在高場出現(xiàn) B.屏蔽效應(yīng)減弱,化學(xué)位移值大,峰在高場出現(xiàn) C.屏蔽效應(yīng)增強,化學(xué)位移值小,峰在高場出現(xiàn) D.屏蔽效應(yīng)增強,化學(xué)位移值大,峰在低場出現(xiàn)
A.不同質(zhì)子種類數(shù) B.同類質(zhì)子個數(shù) C.化合物中雙鍵的個數(shù)與位置 D.相鄰碳原子上質(zhì)子的個數(shù)