填空題

控制濕法腐蝕的主要參數(shù)有（）、（）、（）、（）等。

答案： 腐蝕液濃度；腐蝕時(shí)間；腐蝕液溫度；溶液的攪拌方式
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填空題

光刻中影響甩膠后光刻膠膜厚的因素有（）、（）、（）、（）。
答案： 溶解度；溫度；甩膠時(shí)間；轉(zhuǎn)速
填空題

常規(guī)硅集成電路平面制造工藝中光刻工序包括的步驟有（）、（）、（）、（）、（）、（）、（）等。
答案： 涂膠；前烘；曝光；顯影；堅(jiān)膜；腐蝕；去膠
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