問答題

【案例分析題】室溫下，施主濃度為1.0×10¹⁶cm^-3的n型硅Si與鋁Al形成金屬與半導(dǎo)體接觸，Al的功函數(shù)為4.30eV，Si的電子親和能為4.05eV。已知，Nc=10¹⁹cm^-3，k₀T=0.026eV，ln1000=6.9。計算硅Si的功函數(shù)。

答案：

你可能感興趣的試題

【簡答題】
室溫下，n型硅樣品中，摻雜濃度N_D=10¹⁶cm^-3。光均勻照射Si樣品上，電子-空穴對的產(chǎn)生率為1.25×10²⁰cm^-3s^-1，樣品壽命為8μs。計算無光照和有光照的電導(dǎo)率。其中，已知q=1.6×10^-19C

答案：

【案例分析題】對于室溫下硅材料，假設(shè)載流子遷移率分別為μ_n=1350cm²/V·s，μ_p=5001350cm²/V·s，且認(rèn)為不隨摻雜而變化。已知q=1.6×10^-19C，本征載流子濃度n_i=10¹⁰cm^-3，硅的原子密度為5×10²²cm^-3，Nc=Nv=10¹⁹cm^-3，k₀T=0.026eV，ln200=5.3。試計算問題（2）中雜質(zhì)半導(dǎo)體的電阻率與本征硅的電阻率的比值。

答案：

感谢您访问我们的网站，您可能还对以下资源感兴趣：

中文字幕网国产

国产一级特黄a大片亚洲浮力影院久久久久久亚洲第一二三区日韩国产国产精品第不卡国产视频第一页

<rp id="f9e1s"><acronym id="f9e1s"></acronym></rp><fieldset id="f9e1s"><small id="f9e1s"></small></fieldset>