線偏振光在n1和n2介質的界面發(fā)生全反射,線偏振光的方位角α=45度,證明當時(θ是入射角),反射光波和波的相位差有最大植。式中n=n2/n1。
一半導體砷化鎵發(fā)光管(見圖),管芯AB為發(fā)光區(qū),其直徑d≈3mm。為了避免全反射,發(fā)光管上部磨成半球形,以使內部發(fā)的光能夠以最大投射比向外輸送。要使發(fā)光區(qū)邊緣兩點A和B的光不發(fā)生全反射,半球的半徑至少應取多少?(已知對發(fā)射的λ=0.9nm的光,砷化鎵的折射率為3.4)。