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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】在晶體生長(zhǎng)過(guò)程中維持其過(guò)飽和度的途徑有哪些？
答案：
（1）據(jù)溶解度曲線(xiàn)，改變溫度；——降溫法
（2）采取各種方式（如蒸發(fā)、電解）移去溶劑，...
（2）采取各種方式（如蒸發(fā)、電解）移去溶劑，...
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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述溶液法最關(guān)鍵因素
答案：
是控制溶液的過(guò)飽和度，使溶液達(dá)到過(guò)飽和狀態(tài)，晶體只有在穩(wěn)定的過(guò)飽和溶液中生長(zhǎng)才能確保晶體的質(zhì)量。
問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述浮區(qū)法（垂直區(qū)熔法）特點(diǎn)
答案：
不需要坩堝，可以生長(zhǎng)高熔點(diǎn)材料晶體。（例如，W單晶，熔點(diǎn)3400℃）熔區(qū)的穩(wěn)定靠表面張力與重力的平衡來(lái)保持
