在室溫下,高純鍺的電子遷移率μn=3900cm2/v˙s,設電子的有效質(zhì)量為mn=3×10-29g,求: (1)熱運動速度平均值 (2)平均自由時間 (3)平均自由路程 (4)在外加電場為10/Vcm時的漂移速度
準經(jīng)典近似下,金屬中電子漂移速度為。設ε=ε0eiωt,求在頻率ω下的金屬電導率。
(1)試證明在室溫下,當半導體的電子濃度時,其電導率為最小值,求在上述條件下的空穴濃度。 (2)當ni=2.5×1013/cm3,μp=1900cm2/v˙s,μn=3800cm2/v˙s,求其本征電導率和電波電導率。 (3)當n0和p0為何值時,電導率等于本征電導率。