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填空題
UO2+x在氧化氣氛中可形成（）型非計量化合物，可形成（）型半導體，缺陷濃度與氧分壓的1/6次方成（），如果減少周圍氧氣的分壓，UO2+x的密度將（）
答案：
陰離子間隙型；P；正比；增大
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填空題
由于（）的結(jié)果，必然會在晶體結(jié)構(gòu)中產(chǎn)生“組分缺陷”， 組分缺陷的濃度主要取決于（）和（）
答案：
不等價置換；攙雜量（溶質(zhì)數(shù)量）；固溶度
