問答題

【簡答題】簡述倒摻雜阱技術的步驟。

答案： 連續(xù)三次離子注入
①第一次高能量（＞200KEV）、深結（~1.0μm）倒摻雜注入，以減小CMOS器件的...
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問答題

【簡答題】簡述先進的0.18μmCMOS集成電路工藝技術工藝步驟。
答案： ①雙阱工藝；
②淺槽隔離工藝；
③多晶硅柵結構工藝；
④輕摻雜漏（LDD）工藝；
問答題

【簡答題】簡述3.0μm CMOS集成電路工藝技術工藝流程。
答案： ①雙阱工藝：備片→初氧氧化→光刻N阱區(qū)→N阱磷注入→刻蝕初氧層→光刻P...
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