多項(xiàng)選擇題

晶體生長大致可以分為晶核的（）兩個(gè)階段。

A.形成
B.孵化
C.生長
D.團(tuán)聚

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多項(xiàng)選擇題

降溫法生長關(guān)鍵控制技術(shù)包括（）等。

A.精確控制降溫速率
B.合理的供熱方式和攪拌程序
C.輕放輕取不引入應(yīng)力
D.選擇合理的生長速率

單項(xiàng)選擇題

膜層與基片的結(jié)合強(qiáng)度相比較：（）。

A.蒸鍍〉濺射〉離子鍍
B.蒸鍍〉濺射〈離子鍍
C.蒸鍍〈濺射〉離子鍍
D.蒸鍍〈濺射〈離子鍍

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