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單項(xiàng)選擇題

擴(kuò)散硅敏感膜片的彈性形變量在微應(yīng)變數(shù)量級(jí)，膜片最大位移量在（）。

A、微米數(shù)量級(jí)
B、毫米數(shù)量級(jí)
C、厘米數(shù)量級(jí)
D、納米數(shù)量級(jí)

單項(xiàng)選擇題

關(guān)于擴(kuò)散硅式壓力變送器下列描述錯(cuò)誤的是（）。

A、擴(kuò)散硅芯片由單晶硅經(jīng)過(guò)采用集成工藝技術(shù)經(jīng)過(guò)摻雜、擴(kuò)散制成
B、其硅片上沿單晶硅的特點(diǎn)晶向，制成應(yīng)變電阻，構(gòu)成惠斯凳電橋
C、集力敏與力電轉(zhuǎn)換檢測(cè)于一體
D、根據(jù)壓阻效應(yīng)，將壓力轉(zhuǎn)換成破壞惠斯凳電橋橋路平衡的電流，再根據(jù)電流變化與壓力大小的非線性關(guān)系，推算壓力大小。

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擴(kuò)散硅敏感膜片的彈性形變量在微應(yīng)變數(shù)量級(jí)，膜片最大位移量在（）。

關(guān)于擴(kuò)散硅式壓力變送器下列描述錯(cuò)誤的是（）。

擴(kuò)散硅敏感膜片的彈性形變量在微應(yīng)變數(shù)量級(jí)，膜片最大位移量在（）。

關(guān)于擴(kuò)散硅式壓力變送器下列描述錯(cuò)誤的是（）。