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問(wèn)答題
【論述題】雜質(zhì)原子的擴(kuò)散方式有哪幾種？它們各自發(fā)生的條件是什么？從原子擴(kuò)散的角度舉例說(shuō)明氧化增強(qiáng)擴(kuò)散和氧化阻滯擴(kuò)散的機(jī)理。
答案：
①交換式：兩相鄰原子由于有足夠高的能量，互相交換位置。②空位式：由于有晶格空位，相鄰原子能移動(dòng)過(guò)來(lái)。③填隙式：在空隙中的...
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問(wèn)答題
【論述題】集成電路制造中有哪幾種常見的擴(kuò)散工藝？各有什么優(yōu)缺點(diǎn)？
答案：
擴(kuò)散工藝分類：按原始雜質(zhì)源在室溫下的相態(tài)分類，可分為固態(tài)源擴(kuò)散，液態(tài)源擴(kuò)散和氣態(tài)源擴(kuò)散。固態(tài)源擴(kuò)散（1）.開管擴(kuò)散...
問(wèn)答題
【論述題】分別簡(jiǎn)述RVD和GILD的原理，它們的優(yōu)缺點(diǎn)及應(yīng)用方向。
答案：
快速氣相摻雜（RVD，RapidVapor-phaseDoping）利用快速熱處理過(guò)程（RTP）將處在摻雜劑氣氛中的硅片...
