首頁(yè)
題庫(kù)
網(wǎng)課
在線???/a>
桌面端
登錄
搜標(biāo)題
搜題干
搜選項(xiàng)
0
/ 200字
搜索
問(wèn)答題
【論述題】雜質(zhì)原子的擴(kuò)散方式有哪幾種?它們各自發(fā)生的條件是什么?從原子擴(kuò)散的角度舉例說(shuō)明氧化增強(qiáng)擴(kuò)散和氧化阻滯擴(kuò)散的機(jī)理。
答案:
①交換式:兩相鄰原子由于有足夠高的能量,互相交換位置。②空位式:由于有晶格空位,相鄰原子能移動(dòng)過(guò)來(lái)。③填隙式:在空隙中的...
點(diǎn)擊查看完整答案
在線練習(xí)
手機(jī)看題
你可能感興趣的試題
問(wèn)答題
【論述題】集成電路制造中有哪幾種常見的擴(kuò)散工藝?各有什么優(yōu)缺點(diǎn)?
答案:
擴(kuò)散工藝分類:按原始雜質(zhì)源在室溫下的相態(tài)分類,可分為固態(tài)源擴(kuò)散,液態(tài)源擴(kuò)散和氣態(tài)源擴(kuò)散。固態(tài)源擴(kuò)散(1).開管擴(kuò)散...
點(diǎn)擊查看完整答案
手機(jī)看題
問(wèn)答題
【論述題】分別簡(jiǎn)述RVD和GILD的原理,它們的優(yōu)缺點(diǎn)及應(yīng)用方向。
答案:
快速氣相摻雜(RVD,RapidVapor-phaseDoping)利用快速熱處理過(guò)程(RTP)將處在摻雜劑氣氛中的硅片...
點(diǎn)擊查看完整答案
手機(jī)看題
微信掃碼免費(fèi)搜題