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問(wèn)答題
【論述題】簡(jiǎn)述BOE（或BHF）刻蝕SiO2的原理。
答案：
二氧化硅腐蝕最常見(jiàn)的濕法腐蝕工藝之一是在稀釋的HF溶劑中進(jìn)行的SiO2濕法腐蝕法。常用腐蝕液配比是...
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問(wèn)答題
【論述題】射頻放電與直流放電相比有何優(yōu)點(diǎn)？
答案：
直流放電中，電荷在表面的積聚會(huì)使電場(chǎng)減小，直到等離子體消失。在射頻電場(chǎng)中，因?yàn)殡妶?chǎng)周期性地改變方向，帶電粒子不容易到達(dá)電...
問(wèn)答題
【論述題】下圖為直流等離子放電的I-V曲線(xiàn)，請(qǐng)分別寫(xiě)出a-g各段的名稱(chēng)。可用作半導(dǎo)體制造工藝中離子轟擊的是其中哪一段？試解釋其工作原理。
答案：
ab段為無(wú)光放電區(qū)；bc段為湯生放電；c點(diǎn)為放電的著火點(diǎn)，cd段為前期輝光放電；de段為正常輝光放電區(qū)ef段為反常輝光放...
