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問答題
【論述題】根據(jù)曝光方式的不同，光學(xué)光刻機可以分成幾類？各有什么優(yōu)缺點？
答案：
根據(jù)曝光方式不同光學(xué)光刻機主要分為三種：接觸式，接近式，投影式。接觸式：接觸式光刻機是最簡單的光刻機，曝光時，掩模壓在涂...
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問答題
【論述題】在干法刻蝕的終點檢測方法中，光學(xué)放射頻譜分析法最常見，簡述其工作原理和優(yōu)缺點。
答案：
光學(xué)放射頻譜分析是利用檢測等離子體中某種波長的光線強度變化來達到終點檢測的目的。光強的變化反映了等離子體中原子或分子濃度...
問答題
【論述題】
采用CF4作為氣體源對SiO2進行刻蝕，在進氣中分別加入O2或H2對刻蝕速率有什么影響？隨著O2或H2進氣量的增加，對Si和SiO2刻蝕選擇性怎樣變化？為什么？
答案：
加入少量的氧氣能夠提高Si和SiO2的刻蝕速率。加入少量的氫氣可以導(dǎo)致Si和SiO2
