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【論述題】從寄生電阻和電容、電遷移兩方面說(shuō)明后道工藝中(Back-End-Of-Line,BEOL)采用銅(Cu)互連和低介電常數(shù)(low-k)材料的必要性。
答案:
寄生電阻和寄生電容造成的延遲。電子在導(dǎo)電過(guò)程中會(huì)撞擊導(dǎo)體中的離子,將動(dòng)量轉(zhuǎn)移給離子從而推動(dòng)離子發(fā)生緩慢移動(dòng)。該現(xiàn)象稱為電...
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【論述題】畫出側(cè)墻轉(zhuǎn)移工藝和self-aligned double patterning(SADP)的工藝流程圖。
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【論述題】簡(jiǎn)述電子束光刻的光柵掃描方法和矢量掃描方法有何區(qū)別。
答案:
在光柵掃描方法中,每一個(gè)像素必須被逐次掃描。這樣,曝光時(shí)間幾乎與圖形無(wú)關(guān),圖形就是通過(guò)打開(kāi)和關(guān)閉快門寫出來(lái)的。而已經(jīng)開(kāi)發(fā)...
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