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()是測量在刻蝕過程中物質(zhì)被移除的速率有多快的一種參數(shù)。
A.刻蝕速率
B.刻蝕深度
C.移除速率
D.刻蝕時間
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單項(xiàng)選擇題
電離氣體與普通氣體的不同之處在于:后者是由電中性的分子或原子組成的,前者則是()和中性粒子組成的集合體。
A.離子
B.原子團(tuán)
C.電子
D.帶電粒子
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單項(xiàng)選擇題
由于干法刻蝕中是同時對晶片上的光刻膠及裸露出來的薄膜進(jìn)行刻蝕的,所以其()就比以化學(xué)反應(yīng)的方式進(jìn)行刻蝕的濕法還來得差。
A.刻蝕速率
B.選擇性
C.各向同性
D.各向異性
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