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問答題

【計算題】室溫下，p型半導(dǎo)體中的電子壽命為ι=350us，電子的遷移率u_n=3600cm^-2/（V·s）。試求電子的擴散長度。

答案：

根據(jù)愛因斯坦關(guān)系：

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【計算題】500g的Si單晶，摻有4.5*10^-5g的B，設(shè)雜質(zhì)全部電離，試求該材料的電阻率μ_p=500cm²/（V.S），硅單晶密度為2.33g/cm³，B原子量為10.8。

答案：

【計算題】0.1kg的Ge單晶，摻有3.2*10^-9kg的Sb，設(shè)雜質(zhì)全部電離，試求該材料的電阻率μ_n=0.38m²/（V.S），Ge的單晶密度為5.32g/cm³，Sb原子量為121.8。

答案：

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