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標(biāo)準(zhǔn)雙極型工藝中的縱向NPN晶體管的發(fā)射區(qū)摻雜濃度比集電區(qū)小。
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從電路原理受控源的角度本質(zhì)上看,工作在飽和區(qū)的MOS晶體管本質(zhì)等效為電壓控制電流源。
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常用的IC設(shè)計方法有全定制設(shè)計方法、標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計方法、門陣列設(shè)計方法和可編程邏輯電路設(shè)計方法等。對于性能要求很高或批量很大的產(chǎn)品,如存儲器、微處理器等,一般采用可編程邏輯電路設(shè)計方法。
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