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在晶片制造中,有兩種方法可以向硅片中引入雜質(zhì)元素,即熱擴散和離子注入。
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高密度等離子體刻蝕機是為亞0.25微米圖形尺寸而開發(fā)的最重要的干法刻蝕系統(tǒng)。
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與干法刻蝕相比,濕法腐蝕的好處在于對下層材料具有高的選擇比,對器件不會帶來等離子體損傷,并且設備簡單。
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