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擴(kuò)散率越大,雜質(zhì)在硅片中的移動(dòng)速度就越大。
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摻雜的雜質(zhì)和沾污的雜質(zhì)是一樣的效果。
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CD越小,源漏結(jié)的摻雜區(qū)越深。
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