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問答題
【簡答題】簡述離子注入工藝中退火的主要作用？
答案：
由于離子注入所造成的損傷區(qū)及畸形團(tuán)，增加了散射中心及陷阱能級，使遷移率和壽命等半導(dǎo)體參數(shù)下降。此外，大部分的離子在被注入...
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問答題
【簡答題】擴(kuò)散摻雜與離子注入摻雜所形成的雜質(zhì)濃度分布各自的特點是什么？與擴(kuò)散摻雜相比離子注入摻雜的優(yōu)勢與缺點各是什么？
答案：
擴(kuò)散雜質(zhì)所形成的濃度分布：雜質(zhì)摻雜主要是由高溫的擴(kuò)散方式來完成，雜質(zhì)原子通過氣相源或摻雜過的氧化物擴(kuò)散或淀積到硅晶片的表...
問答題
【簡答題】簡述兩步擴(kuò)散的含義與目的？
答案：
為了同時滿足對表面濃度、雜質(zhì)總量以及結(jié)深等的要求，實際生產(chǎn)中常采用兩步擴(kuò)散工藝：第一步稱為預(yù)擴(kuò)散或預(yù)淀積，在較低的溫度下...
