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MOS場效應晶體管的開啟電壓指的是:()。所以,NMOS管的開啟電壓為(),PMOS管的開啟電壓為()。
答案:
MOS管柵下半導體表面開始強反型時的柵極電壓;正;負
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光刻工藝的分辨率決定于:()和曝光、顯影、刻蝕條件的正確控制。正膠的分辨率()于負膠的分辨率;光刻膠越薄,分辨率越()。
答案:
光刻機的分辨率、光刻膠的種類、光刻膠的厚度、光刻膠的對比度;高;高
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前烘的目的是()使膠膜中的溶劑只有初始濃度的()。從而,使膠的()性能穩(wěn)定。對正膠,前烘過度會使非曝光區(qū)的膠();前烘不足,會使膠的感光度(),對比度(),線條邊緣不陡直。所以,必須嚴格控制前烘的()和()。
答案:
去除膠膜中的大部分溶劑;5%;曝光;部分溶解;提高;降低;時間;溫度
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