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【計算題】在300K下硅中電子濃度n
0
=2×10
3
cm
-3
,計算硅中空穴濃度p
0
。判斷該半導(dǎo)體是n型還是p型半導(dǎo)體。
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問答題
【計算題】假定兩種半導(dǎo)體除禁帶寬度以外的其他性質(zhì)相同,材料1的禁帶寬度為1.1eV,材料2的禁帶寬度為3.0eV,計算兩種半導(dǎo)體材料的本征載流子濃度比值,哪一種半導(dǎo)體材料更適合制作高溫環(huán)境下工作的器件?
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問答題
【簡答題】簡述單晶、多晶、非晶體材料結(jié)構(gòu)的基本特點。
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整塊固體材料中原子或分子的排列呈現(xiàn)嚴(yán)格一致周期性的稱為單晶材料;
原子或分子的排列只在小范圍呈現(xiàn)周期性而在大范...
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