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單項(xiàng)選擇題
光刻技術(shù)中的反刻工藝,通常應(yīng)用于()的情況。
A.對(duì)光刻精度較高
B.光刻圖案密度較高
C.光刻的材料易于腐蝕
D.光刻的材料難以腐蝕
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單項(xiàng)選擇題
在CMOS工藝中,最為昂貴的步驟是:()
A.腐蝕
B.離子注入
C.光刻
D.CVD
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判斷題
提高光刻最小線寬可以通過(guò)提升介質(zhì)的介電常數(shù)實(shí)現(xiàn)。
答案:
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