單項選擇題

A.N型半導體，自由電子數是遠遠大于空穴數的
B.N型半導體中，自由電子是多子
C.N型半導體中，空穴是多子
D.N型半導體中的空穴主要由熱激發(fā)形成

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A.半導體的導電能力是隨著溫度的增加而增加的
B.空穴可以看成是一個帶正電的粒子，電量與電子相等
C.可以用空穴移動產生的電流來代替受束縛的電子移動產生的電流
D.硅的價電子比鍺的價電子越容易擺脫束縛（相同情況）

A.R₁/R₂
B.R₂/R₁
C.-R₁/R₂
D.-R₂/R₁

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