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形成接觸孔之前,需要先淀積一層PSG或BPSG材料,然后再該層材料上刻蝕出窗口作為接觸孔。
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CMOS是由PMOS和NMOS構成,制作時可以是P阱結構,還可以是N阱結構,更可以是雙阱結構。
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MOS管的制作一般經(jīng)過阱區(qū)制作、有源區(qū)光刻、柵氧淀積、柵的淀積和光刻、源漏注入、接觸孔光刻、金屬淀積及反刻、鈍化等工藝。
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