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【簡答題】解釋說明自對準柵工藝流程,為什么當圖形化尺寸小到0.18um時,使用鈷硅化物取代鈦硅化物?為什么當圖形化尺寸小到65nm時,使用鎳硅化物取代鈷硅化物?
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高能量、低電流的離子注入;加熱退火/擴散工藝;自對準雙阱工藝。
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【簡答題】簡述集成電路制造中的四種隔離技術
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整面全*區(qū)覆蓋氧化層、局部硅氧化(LOCOS)、淺槽隔離(STI)、P型摻雜結(jié)也可以用于形成相鄰晶體管的電氣隔離。
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