InSb電子有效質(zhì)量me=0.015m,介電常數(shù)ε=18,晶格常數(shù)試計(jì)算; (1)施主的電離能; (2)基態(tài)的軌道半徑; (3)施主均勻分布,相鄰雜質(zhì)原子的軌道之間發(fā)生交疊時(shí),摻有的施主雜質(zhì)濃度應(yīng)高于多少?
設(shè)N個(gè)電子組成簡(jiǎn)并電子氣,體積為V,證明T=0K時(shí) 1) 每個(gè)電子的平均能量 2) 自由電子氣的壓強(qiáng)滿(mǎn)足
若將銀看成具有球形費(fèi)米面的單價(jià)金屬,計(jì)算以下各量 1) 費(fèi)密能量和費(fèi)密溫度 2) 費(fèi)米球半徑 3) 費(fèi)米速度 4) 費(fèi)米球面的橫截面積 5) 在室溫以及低溫時(shí)電子的平均自由程