平帶條件發(fā)生時(shí)所加的柵壓,此時(shí)在氧化層下面的半導(dǎo)體中沒有空間電荷區(qū)。
溝道電導(dǎo)隨柵源電壓改變的過程。
當(dāng)VDS→0時(shí)漏電流與漏電壓之比。