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有限表面源擴散
答案:
擴散前在硅片表面先淀積一層雜質(zhì),在整個過程中,這層雜質(zhì)作為擴散源,不再有新源補充,雜質(zhì)總量不再變化。這種類型的擴散稱為有...
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橫向擴散
答案:
由于光刻膠無法承受高溫過程,擴散的掩膜都是二氧化硅或氮化硅。當原子擴散進入硅片,它們向各個方向運動:假如雜質(zhì)原子沿硅片表...
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射程R
答案:
離子從進入靶到停止為止走過的總距離。
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