A.PN 結(jié)加的正向電壓夠大時(shí),多子的擴(kuò)散比少子的漂移占優(yōu)勢(shì)B.PN 結(jié)加反向電壓時(shí),少子的漂移比多子的擴(kuò)散占優(yōu)勢(shì)C.PN 結(jié)不外加電壓時(shí),少子的漂移與多子的擴(kuò)散達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡D.要給PN 結(jié)加正向電壓,P 區(qū)一側(cè)應(yīng)接低電位,N 區(qū)一側(cè)應(yīng)接高電位
A.半導(dǎo)體的電阻介于導(dǎo)體與絕緣體之間B.半導(dǎo)體可以制作成非常純凈的晶體C.半導(dǎo)體可以通過摻雜工藝制成N 型半導(dǎo)體和P 型半導(dǎo)體D.半導(dǎo)體具有熱敏性、光敏性和特殊的摻雜特性
A.本征半導(dǎo)體B.P 型半導(dǎo)體C.N 型半導(dǎo)體