電路如圖所示,已知FET的IDSS=3mA、UP=-3V、U(BR)DS=10V。試問(wèn)在下列三種條件下,F(xiàn)ET各處于哪種狀態(tài)?(1)Rd=3.9kΩ;(2)Rd=10kΩ;(3)Rd=1kΩ。
放大電路如圖所示,已知場(chǎng)效應(yīng)管的IDSS=1.6mA,Up=-4V,rds忽略不計(jì),若要求場(chǎng)效應(yīng)管靜態(tài)時(shí)的UGSQ=-1V,各電容均足夠大。試求:(1)Rg1的阻值;(2)、Ri及Ro的值。
電路如圖所示,場(chǎng)效應(yīng)管的gm=11.3ms,rds忽略不計(jì)。試求共漏放大電路的源電壓增益、輸入電阻Ri和輸出電阻Ro。