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EF-EC≥0的半導(dǎo)體叫簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,其施主濃度高于導(dǎo)帶底等效態(tài)密度。
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化合物半導(dǎo)體的禁帶寬度一般隨平均原子系數(shù)的增加而變窄,如GaN>GaP。
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金屬氧化物MO中氧原子過剩時(shí)形成n型半導(dǎo)體,金屬原子過剩時(shí)形成p型半導(dǎo)體。
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