A、0.05%~0.1% B、0.03%~0.05% C、1%~1.5% D、1.5%~2.0%
A、晶胞形成速度大于單個(gè)晶體長(zhǎng)大速度 B、晶胞形成速度等于單個(gè)晶體長(zhǎng)大速度 C、晶胞形成速度小于單個(gè)晶體長(zhǎng)大速度
A、沒有氫脆影響且不影響工件精度 B、有氫脆影響,但不影響工件精度 C、沒有氫脆影響,但影響工件精度 D、影響氫脆和零件精度