本征吸收:半導體吸收光子能量大于帶隙的光子,使電子直接躍遷到導帶。 又本征吸收產(chǎn)生的非平衡載流子的增加使半導體電導率增加。
耿氏振蕩來源于半導體內的負微分電導,振蕩頻率決定于外加電壓和器件的長度。
多能谷之間有效質量不同導致遷移率不同,當電子從一能谷躍遷到另一能谷時,遷移率會減低,導致導電性降低。