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單項選擇題

以下4種半導體中最適合于制作高溫器件的是（）

A.Si
B.Ge
C.GaAs
D.GaN

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單項選擇題

當一種n型半導體的少子壽命由直接輻射復合決定時，其小注入下的少子壽命正比于（）。

A.1/n0
B.1/△n
C.1/p0
D.1/△p

單項選擇題

有效復合中心的能級必靠近（）

A.禁帶中部
B.導帶
C.價帶
D.費米能級

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