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單項選擇題

如果溫度升高，半導體中的電離雜質散射概率和晶格振動散射概率的變化分別是（）。

A、變大，變大
B、變小，變小
C、變小，變大
D、變大，變小

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單項選擇題

鍺的晶格結構和能帶結構分別是（）

A.金剛石型和直接禁帶型
B.閃鋅礦型和直接禁帶型
C.金剛石型和間接禁帶型
D.閃鋅礦型和間接禁帶型

單項選擇題

不考慮表面態(tài)的影響，如需在n型硅上做歐姆電極，以下四種金屬中最適合的是（）。

A.In（Wm=3.8eV）
B.Cr（Wm=4.6eV）
C.Au（Wm=4.8eV）
D.Al（Wm=4.2eV）

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