問答題

【簡答題】在集成電路制造工藝中,輕摻雜漏(LDD)注入工藝是如何減少結和溝道區(qū)間的電場,從而防止熱載流子的產生?

答案: 如果沒有LDD形成,在晶體管正常工作時會在結和溝道區(qū)之間形成高電場,電子在從源區(qū)向漏區(qū)移動的過程中,將受此電場加速成高能...
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【簡答題】集成電路制造工藝中,主要有哪兩種隔離工藝?目前的主流深亞微米隔離工藝是哪種器件隔離工藝,為什么?

答案: 集成電路制造工藝中,主要有局部氧化工藝-LOCOS;淺槽隔離技術-STI兩種隔離工藝。主流深亞微米隔離工藝是:STI。S...
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【簡答題】現在國際上批量生產IC所用的最小線寬大致是多少,是何家企業(yè)生產?請舉出三個以上在這種工藝中所采用的新技術(與亞微米工藝相比)?

答案: 國際上批量生產IC所用的最小線寬是Intel公司的32nm。在這種工藝中所采用的新技術有:銅互聯;Low-K材料;金屬柵...
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