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問答題
【簡答題】砷化鎵相對于硅的主要優(yōu)缺點及其應(yīng)用領(lǐng)域。
答案:
主要用于高速高頻領(lǐng)域;
優(yōu)點:
(1)比硅更高的電子遷移率(應(yīng)用于高頻);
(2)有減小寄...
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問答題
【簡答題】化合物半導(dǎo)體的主要類型,各自的典型材料及主要應(yīng)用領(lǐng)域。
答案:
III-V族化合物:砷化鎵(GaAs)鍺硅(SiGe),主要用于高速高頻領(lǐng)域;
II-VI族化合物:碲化鎘(C...
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問答題
【簡答題】什么是摻雜?為什么摻雜對半導(dǎo)體制造很重要?說明摻雜硅的兩種主要類型及他們之間的最主要區(qū)別。
答案:
摻雜是指在半導(dǎo)體材料的特定區(qū)域中通過加入某些雜質(zhì)元素從而改變該材料的電學(xué)特性的過程。IC的核心是制造半導(dǎo)體器件,而制造器...
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