N溝道FET的速度將比P溝道FET快2.5倍
自對準(zhǔn)無需重疊設(shè)計(jì)減小了電容提高了速度減小了柵、源、漏極尺寸增加集成度;增加電路可靠性
將兩次MASK步驟合為一次,讓D,S和G三個(gè)區(qū)域一次成形