MOS管有多層介質(zhì):在柵極電極的下面有一層SIO2介質(zhì)SIO2下面是P型襯底,襯底比較厚襯底電極同襯底之間必須是歐姆接觸
同時(shí)制造出包含互補(bǔ)的P型和N型兩種MOS原件的一種工藝過(guò)程