襯底材料制備;埋層的形成;N型外延層的形成;隔離區(qū)的形成;晶體管基區(qū)的形成;晶體管發(fā)射區(qū)和引線孔的形成;金屬化的形成。
擴散和離子注入。
動態(tài)隨機存取存儲、器和靜態(tài)隨機存取存儲器。