問答題

【簡答題】MOS晶體管的本征電容通常是指哪幾部分電容？MOS晶體管的寄生電容通常是指哪幾部分電容？

答案： MOSFET本征電容包括：柵-襯電容CGB；柵-源電容CGS；柵-漏電容CGDMOSFET寄生電容包括：柵-源、柵-漏覆...
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答案：

注氧隔離技術(shù)、鍵合減薄技術(shù)、智能剝離技術(shù)。
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答案：

作為電平轉(zhuǎn)換的接口電路和改善輸入信號的驅(qū)動能力。
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