你可能感興趣的試題

以下對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的敘述正確的是（）。

A.場(chǎng)效應(yīng)管是電流型控制器件，組成放大電路時(shí)其輸入電阻大
B.場(chǎng)效應(yīng)管是電壓型控制器件，組成放大電路時(shí)，其輸入電阻小
C.場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的放大倍數(shù)比晶體管組成的放大電路小
D.場(chǎng)效應(yīng)管組成放大電路時(shí)電壓放大系數(shù)大

單項(xiàng)選擇題

某場(chǎng)效應(yīng)管的IDSS為6mA，而IDQ自漏極流出，大小為8mA，則該管是（）。

A.增強(qiáng)型PMOS
B.增強(qiáng)型NMOS
C.耗盡型PMOS
D.耗盡型NMOS

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以下無(wú)法構(gòu)成自給偏壓電路的場(chǎng)效應(yīng)管為（）

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以下對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的敘述正確的是（）。

某場(chǎng)效應(yīng)管的IDSS為6mA，而IDQ自漏極流出，大小為8mA，則該管是（）。

以下對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的敘述正確的是（）。

某場(chǎng)效應(yīng)管的IDSS為6mA，而IDQ自漏極流出，大小為8mA，則該管是（）。