多項(xiàng)選擇題

膜電位的建立是由于（）。

A.溶液中離子與電極膜上離子之間發(fā)生交換作用的結(jié)果
B.溶液中離子與內(nèi)參比溶液離子之間發(fā)生交換作用的結(jié)果
C.內(nèi)參比溶液中離子與電極膜上離子之間發(fā)生交換作用的結(jié)果
D.溶液中離子與電極膜水化層中離子之間發(fā)生交換作用的結(jié)果

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單項(xiàng)選擇題

某化合物Cl-CH₂-CH₂-CH₂-Cl的1HNMR譜圖上為（）

A.1個(gè)單峰
B.3個(gè)單峰
C.2組峰：1個(gè)為單峰，1個(gè)為二重峰
D.2組峰：1個(gè)為三重峰，1個(gè)為五重峰

單項(xiàng)選擇題

某化合物在一個(gè)具有固定狹峰位置和恒定磁場強(qiáng)度B的質(zhì)譜儀中分析，當(dāng)加速電壓V慢慢地增加時(shí)，則首先通過狹峰的是：（）

A.質(zhì)量最小的正離子
B.質(zhì)量最大的負(fù)離子
C.質(zhì)荷比最低的正離子
D.質(zhì)荷比最高的正離子

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膜電位的建立是由于（）。

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某化合物Cl-CH2-CH2-CH2-Cl的1HNMR譜圖上為（）

某化合物在一個(gè)具有固定狹峰位置和恒定磁場強(qiáng)度B的質(zhì)譜儀中分析，當(dāng)加速電壓V慢慢地增加時(shí)，則首先通過狹峰的是：（）

膜電位的建立是由于（）。

某化合物Cl-CH₂-CH₂-CH₂-Cl的1HNMR譜圖上為（）

某化合物在一個(gè)具有固定狹峰位置和恒定磁場強(qiáng)度B的質(zhì)譜儀中分析，當(dāng)加速電壓V慢慢地增加時(shí)，則首先通過狹峰的是：（）